Хагас дамжуулагч нь цахилгаан сайн дамжуулдаг дамжуулагч ба цахилгаан дамжуулдаггүй тусгаарлагч хоёрын дундах саармаг шинж чанарыг үзүүлдэг материал юм. Хагас дамжуулагчийн цахилгаан дамжуулах чадвар нь орчны цахилгаан орон болон дулааны хэмээс шалтгаалж өөрчлөгдөж байдаг. Энэ ховор шинж чанар нь өнөөгийн цахилгаан төхөөрөмжид чухал хэрэгцээтэй бөгөөд диод, транзистор зэрэг электрониксийн суурь элемэнтүүд нь үүн дээр үндэслэгдсэн болно. Транзистор нь өнөөгийн микроэлектроник, цаашилбал наноэлектроникийн суурь элемент юм. Анх 1948 онд Транзистор-ыг зохион бүтээсэн бөгөөд зохиогч нь Нобелийн шагналыг ийнхүү транзистор зохиосноороо хүртжээ. Транзистор нь сигналыг өсгөгч эсвэл электрон түлхүүрийн үүргээр өргөн хэрэглэгддэг хагас дамжуулагч төхөөрөмж юм. Транзистор нь нарийн, хурдан шилжилт хийх чадвартай учир өргөн хүрээний тоон болон аналог функцүүдэд ашигладаг. Транзисторыг хийхдээ Менделеевийн үелэх системийн IV-р бүлгийн элементүүд болох цахиур, германий ба бусад хагас дамжуулагч элементүүдийг ашигладаг. Хоёр гаралттай нэг цахилгаан гарцтай цахилгаан хувиргах хагас дамжуулах диод гэнэ. Хэрэглээнээс хамаарч шулуутгах,универсаль, импульсын, өндөр,хэт өндөр давтамжийн, хонгил ба гэдрэг, фото болон цацруулагч, стаблитрон диод гэж ангилна. Хагас дамжуулагч диодыг германи, цахиур, селен зэрэг бодисоор хийдэг. Хагас дамжуулагч багажууд нь электрон лампаас дараах давуу талтай учир орчин үед маш өргөн хэрэглэдэг. Юуны өмнө хагас дамжуулагч багажуудад чөлөөт цэнэг зөөгчдийг бий болгоход ламптай адил катодыг халаах энерги шаардлагагүй учир хэмнэлттэй. Хагас дамжуулагч багажууд овор багатай учир зай бага эзэлж нийт төхөөрөмж авсаархан болно. Иймд эдгээрийг дэлхийн хиймэл дагуул, сансрын хөлөг онгоц, тооцон бодох машин зэрэгт хэрэглэхэд тохиромжтой.